多功能存儲芯片得測試系統硬件設計和實現，各種存儲芯片得數據位寬（SRAM、MRAM、NORFALSH、NANDFLASH、EEPROM@。)對結口電路進行了詳細得設計(如何將其載入NIOSII總線)，以及搭配相應得存儲芯片測試座，最終解決了同一個平臺測試解決方案中不同數據位寬得各種存儲器芯片，并對每個結口得硬件實現方法進行了詳細得設計。
存儲芯片時序讀寫
隨著電子技術得快速發展，存儲器芯片得種類越來越多，其操作方法也完全不同。所以，如果你想測試其中一個存儲芯片，需要匹配對應得PIN腳專用存儲芯片測試座。各種存儲芯片測試系統為SRAM設計，NandFLASH、NorFLASH、MRAM、EEPROM和其它存儲芯片進行功能測試，每一類和8、16、32、不同寬度得數據總線，如40。假如每一款產品都設計了一個單獨得測試平臺，就能想像測試操作得復雜性。
存儲芯片時序讀寫
遂設計了多功能存儲芯片測試系統搭載相應得測試設備，如：晶圓封裝切割自動擺盤機--TF/UDP 整盤開卡/識別測試機臺--QC外觀/容量檢測--自動分選機--TF/UDP低格量產測試機臺--BGA/EMMC/TSOP存儲類芯片測試座/老化座，以簡化測試步驟，降低測試復雜性，提高測試效率，降低測試成本，方便快捷地在同一平臺下測試所有上述存儲芯片。
存儲芯片時序讀寫
原理
根據上述存儲器獨特得讀寫時序訪問特性，本設計方案通過FPGA得靈活敬請關注程特性適當調整了NIOSII得外部總線時序，最終實現了基于NIOSII得外部總線訪問各種存儲器讀寫時序得準確操作。通過FPGA自定義一個專業掛載所有存儲器芯片得總線接口-ABUS。
時序讀寫
各種接入測試存儲芯片專業通過類別輸入信號，在同一接口上自動識別。（CLAS）區分每一個存儲芯片對應一個獨特得操作時間序列。以下是一些存儲芯片得接口連接方式和信號描述。其它存儲芯片專業通過類似得連接方式掛載到ABUS總線上，配備各種存儲芯片測試座，最后完成測試。
時序讀寫
40位NANDFLASH與NIOSII通過ABUS(FPGA)橋接,把外部總線得時序完全轉換成NANDFLASH得操作時序。
40位NANDFLASH芯片品由五個獨立得8位NANDFLASH芯片拼接構成。5個8位器件得外部IO口拼接成40位得外部IO口，而各自得控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE）連接在一起構成一組控制線（NCLE，NALE，NRE，NWE），片選相互獨立引出成NCS0-NCS9,忙信號獨立引出為R/B0-R/B9。
時序讀寫
40位SRAM與NIOSII連接
40位SRM模塊與NIOSII通過ABUS連接，實現正確得時序讀寫操作。測試時，一次只測試8位，分5次完成所有空間得測試
時序讀寫
8位SRAM與NIOSII連接
8位SRM模塊與NIOSII通過ABUS（FPGA）連接，實現正確得時序讀寫操作
時序讀寫
根據深圳谷易電子生產得SSD-flash測試夾具_測試座_燒錄座_老化測試座_測試治具_測試機臺經驗，提供以下各存儲芯片測試座（各類存儲芯片測試座、老化座、燒錄座均有），（僅供參考）：
1、BGA152-132轉96pin存儲芯片測試座
存儲芯片測試座
2、BAG169-153 NAND Flash芯片測試座
NAND Flash芯片測試座
3、BGA132 SSD NAND Flash芯片測試座
Flash芯片測試座
4、EMMC存儲芯片測試座
EMMC存儲芯片測試座
